簡要描述：簡要描述：電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種使用電漿的化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)，可為沉積反應(yīng)提供一些能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質(zhì)量。

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電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備

電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD）是一種使用電漿的化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)，可為沉積反應(yīng)提供一些能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質(zhì)量。

電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備

電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備PECVD比半導(dǎo)體行業(yè)中的其他CVD技術(shù)更廣泛地使用，且可以在較低的工作溫度（低於350°C）下沉積薄膜，並具有不同形狀的均勻沉積與良好的覆蓋率。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與監(jiān)控其數(shù)據(jù)(壓力、載臺溫度)，並提供高品質(zhì)的薄膜。

電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備

我們也開發(fā)不同機器但共用零組件，以達到節(jié)省成本。

應(yīng)用領(lǐng)域	腔體
電漿清洗。 SiO_x、SiN_x、a-Si、DLC和其他薄膜。防刮顯示屏。醫(yī)療和商業(yè)產(chǎn)品的耐磨薄膜。封裝，絕緣層。	鋁或不銹鋼腔體或石英腔，佔地面積小。通過使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱器包來控制腔體溫度。
配置和優(yōu)點	選件
客製化的基板尺寸，直徑可達12 寸晶圓。單載片或多載片。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。精準(zhǔn)流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可擴充10條氣體管線。穩(wěn)定的溫度控制，可將載盤加熱至400°C。使用電容式耦合電漿（CCP）。	可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。 RPS用於腔體清潔。發(fā)射光譜儀。高真空傳送系統(tǒng)。

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