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FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

  • 產(chǎn)品型號：
  • 更新時間：2024-10-10

簡要描述：簡要描述：FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積：隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加，其制造設(shè)備也變得更大，需要越來越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對中小尺寸的需求開發(fā)串集的PECVD 設(shè)備，提供非晶矽（a-Si），氧化矽（SiOx），氮氧化矽（SiON），氮化矽（SiNx）和多層膜沉積。

產(chǎn)品詳情

FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

隨著LCD面板和製造所需玻璃的尺寸的增加，其製造設(shè)備也變得更大，需要越來越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對中小尺寸的需求開發(fā)串集的PECVD 設(shè)備，提供非晶矽（a-Si），氧化矽（SiOx），氮氧化矽（SiON），氮化矽（SiNx）和多層膜沉積。

FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

FPD-PECVD（Field Plasma Discharge Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一種電漿輔助化學氣相沉積技術(shù)，它利用電場產(chǎn)生的等離子體來促進化學氣相沉積過程。該技術(shù)在薄膜材料的制備中具有重要作用，特別是在大面積平板顯示（Flat Panel Display，FPD）制造領(lǐng)域。

FPD-PECVD技術(shù)通過在反應室內(nèi)施加電場，激發(fā)氣體分子產(chǎn)生等離子體。等離子體中的高能粒子與化學前驅(qū)體分子發(fā)生反應，形成沉積在基板上的薄膜。與傳統(tǒng)的PECVD技術(shù)相比，FPD-PECVD能夠更有效地控制等離子體的分布和能量，從而提高薄膜的質(zhì)量和均勻性。

該技術(shù)廣泛應用于液晶顯示器（LCD）和有機發(fā)光二極管（OLED）面板的生產(chǎn)中，用于沉積絕緣層、導電層、保護層等關(guān)鍵薄膜。FPD-PECVD技術(shù)的優(yōu)化和應用對于提升顯示面板的性能和生產(chǎn)效率具有重要意義。

應用領(lǐng)域

  • 非晶矽前驅(qū)物（a-Si）。

  • 氮化矽 (SiNx)。

  • 氧化矽，矽烷基(SiOx)。

  • 氧化矽，TEOS (SiOx)。


配置和優(yōu)點選件

  • 客製化基板尺寸為550 x 650 mm2(玻璃)。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。

  • 每個製程腔內(nèi)最多可加裝7組氣體管線。

  • 遠程電漿進行腔體清潔。

  • 穩(wěn)定的溫度控制，可將基板加熱到380°C。

  • Cassette傳送站。

  • TEOS沉積製程。

  • OES、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口。




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