反應離子蝕刻設(shè)備機器中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。

因此，RIE製程是化學物理蝕刻製程，也是半導體製造中用於構(gòu)造各種薄膜的最重要製程。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準的控制製程氣體與電漿製程，並提供高品質(zhì)的薄膜。

根據(jù)蝕刻技術(shù)的不同，等離子體蝕刻技術(shù)可以分為三類：純物理性質(zhì)的沖擊蝕刻、純化學反應的化學蝕刻和物理化學反應的沖擊蝕刻。純粹的物理沖擊顯然與濺射物理學相似，氬元素（Ar）是由電離輝光釋放而成，利用氬離子的力量，將氬離子陰極微金屬沖擊在陰極板（晶圓）的位置，沖擊通過薄薄的頂層，氬離子陷阱蝕刻以再生轟擊，從而加速其實現(xiàn)蝕刻目標。以這種方式轟擊粒子實現(xiàn)的蝕刻被稱為具有純物理特性的沖擊蝕刻，因為它是將純能量轉(zhuǎn)化為物理特性。物理性質(zhì)的優(yōu)點是激勵波明顯分離加速和強定向，因此輪廓清晰，轉(zhuǎn)向圈具有良好的寬度和高各向異性。然而，通過純粹的物理沖擊實現(xiàn)蝕刻目標的缺點是，當要蝕刻的薄膜被蝕刻時，暴露在等離子體上的金屬涂層也被蝕刻，導致蝕刻的選擇性比率很差。這是因為金屬離子也會接觸到涂層基材，所以刻蝕的終點也需要精密控制，以避免造成基層的破壞。此外，由于受沖擊的材料通常是固體顆粒，這種化合物可以沉積在刻蝕膜的表面和側(cè)壁上，導致涂膜下的材料表面出現(xiàn)材料染色。

然后通過等離子體擴散到未拉伸的薄膜和薄膜層材料的表面化學反應基團中，產(chǎn)生化學反應，純化學反應，化學反應中產(chǎn)生的物質(zhì)帶有高度揮發(fā)性，并隨著未反應的物質(zhì)一同被排出反應腔體。純化學反應蝕刻和濕法蝕刻一樣，也有優(yōu)點和缺點，如良好的刻蝕選擇性比率、各向同性的蝕刻、成本低。

反應離子蝕刻設(shè)備機器參數(shù)