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森泰克刻蝕機Etchlab 200 適用于氟基氣體以及氧氣、氬 氣等工藝氣體，具有非常高的工藝穩(wěn)定性和 重復性。升級增加預真空室后，可使用氯基 氣體、完成金屬、化合物半導體等的干法刻 蝕工藝。下電極適用于從4吋到8吋直徑的晶 圓片（更小的樣片可采用載片器進樣）。

森泰克感應耦合等離子刻蝕機SI 500干法刻蝕系統(tǒng)廣泛應用于半導體制造、微納加工、MEMS制造等領域。它可以用于刻蝕多種材料，包括但不限于三五族化合物半導體（如GaAs、InP、GaN、InSb）、介質、石英、玻璃、硅和硅化合物（如SiC、SiGe）以及金屬等。

日本傾斜角RIE等離子蝕刻機的簡介：日本傾斜角刻蝕代表了直接置片等離子刻蝕機家族，它結合了RIE的平行板電極設計和直接置片的成本效益設計的優(yōu)點。Etchlab200的特征是簡單和快速的樣品加載，從零件到直徑為200mm或300mm的晶片直接加載到電極或載片器上。靈活性、模塊性和占地面積小是Etchlab200的設計特點。